新闻资讯

当前位置:首页 > 新闻中心 > 行业新闻

短评| ASML研发下一代EUV光刻机分辨率:提升70% 逼近1nm极限

  据外媒报道,荷兰ASML(阿斯麦)公司正在研发新一代EUV光刻机,预计在2022年开始出货。早先,ASML公司垄断了目前的EUV光刻机,去年出货26台,创造了新纪录。目前ASML出货的光刻机主要是NXE:3400B及改进型的NXE:3400C,两者基本结构相同,但NXE:3400C采用模块化设计,维护更加便捷,平均维修时间将从48小时缩短到8-10小时,支持7nm、5nm。

  此外, NXE:3400C的产能也从之前的125WPH(每小时处理晶圆数)提升到了175WPH。

  不论NXE:3400B还是NXE:3400C,目前的EUV光刻机还是第一代,主要特点是物镜系统的NA(数值孔径)为0.33。

  ASML最近纰漏他们还在研发新一代EUV光刻机EXE:5000系列,NA指标达到了0.55,主要合作伙伴是卡尔蔡司、IMEC比利时微电子中心。

  与之前的光刻机相比,新一代光刻机意味着分辨率提升了70%左右,可以进一步提升光刻机的精度,毕竟ASML之前的目标是瞄准了2nm甚至极限的1nm工艺的。

  不过新一代EUV光刻机还有点早,至少到2022年才能出货,大规模出货要到2024年甚至2025年,届时台积电、三星等公司确实要考虑3nm以下的制程工艺了。

  文章内容如有侵权,请立即与我们联系删改。